מאָדעל נומער.: NS08GU4E8
טראַנספּאָרטאַטיאָן: Ocean,Land,Air,Express
צאָלונג טיפּ: L/C,T/T,D/A
ינקאָטערם: FOB,CIF,EXW
8 גב 2666 מהז 288-שפּילקע דדר 4 udimm
רעוויזיע געשיכטע
|
Revision No. |
History |
Draft Date |
Remark |
|
1.0 |
Initial Release |
Apr. 2022 |
|
אָרדערינג אינפֿאָרמאַציע טיש
|
Model |
Density |
Speed |
Organization |
Component Composition |
|
NS08GU4E8 |
8GB |
2666MHz |
1Gx64bit |
DDR4 1Gx8 *8 |
באַשרייַבונג
Hengstar Unbuffered DDR4 SDRAM DIMMs (Unbuffered Double Data Rate Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules) are low power, high-speed operation memory modules that use DDR4 SDRAM devices. NS08GU4E8 איז אַ 1 ג רענטגענ 64-ביסל איין ראַנג 8 גב DDR4-2666 CL19 1.2 וו SDRAM UNDMAM UNDMAM UNDMAM UNDBAM UNDMEM פּראָדוקט, באזירט אויף אַכט 1 ג רענטגענ 8-ביסל פבגאַ קאַמפּאָונאַנץ. די ספּד איז פּראָוגראַמד צו JEDEC נאָרמאַל לייטאַנסי DDR4-2666 טיימינג פון 19-19-19 ביי 1.2 וו. יעדער 288-שפּילקע דיםם ניצט גאָלד קאָנטאַקט פינגער. די SDRAM UNBUFFERED DIM איז בדעה פֿאַר נוצן ווי הויפּט זכּרון ווען אינסטאַלירן אין סיסטעמען אַזאַ ווי פּקס און ווערקסטיישאַנז.
איינריכטונגען
power צושטעלן: VDD = 1.2 וו (1.14 וו צו 1.26 וו)
וודדק = 1.2 וו (1.14 וו צו 1.26 וו)
VPP - 2.5 וו (2.375 וו צו 2.75 וו)
vddspd = 2.25 וו צו 3.6 וו
נאַינאַל און דינאַמיש ביי-שטאַרבן טערמאַניישאַן (אָדט) פֿאַר דאַטן, סטראָוב און מאַסקע סיגנאַלז
לאָוו-מאַכט אַוטאָ זעלבסט-ריפרעש (לפּאַסר)
דאַטאַ ויטאָבוס ינווערזשאַן (DBI) פֿאַר דאַטן ויטאָבוס
on-die vrefdq גענעראַטיאָן און קאַלאַבריישאַן
on-board I2C סיריאַל פּרעזאַנסט-דעטעקט (ספּד) EEPROM
16 ינערלעך באַנקס; 4 גרופּעס פון 4 באַנקס יעדער
פיקסעד פּלאַצן צעהאַקן (בק) פון 4 און פּלאַצן לענג (בל) פון 8 דורך 8 דורך די מאָדע רעגיסטרירן גאַנג (מרס)
סעלעקטאַבלע BC4 אָדער Bl8 אויף-דעם-פליען (אָטף)
דאַטאַבוס שרייַבן סייקליק שיפּונדאַנסי טשעק (CRC)
temperate קאַנטראָולד דערפרישן (TCR)
קאָמאָמאַנד / אַדרעס (CA) פּאַרטי
פארטיי פון DRAM איז געשטיצט
8 ביסל פאַר-ברענגען
fly-by טאָפּאָלאָגי
קאמרד / אַדרעס לייטאַנסי (קאַל)
טערמינאַטעד קאָנטראָל באַפֿעל און אַדרעס ויטאָבוס
PCB: הייך 1.23 "(31.25 מם)
gold ברעג קאָנטאַקטן
rohs געהאָרכיק און האַלאָגען-פריי
שליסל טיימינג פּאַראַמעטערס
|
MT/s |
tCK |
CAS Latency |
tRCD |
tRP |
tRAS |
tRC |
CL-tRCD-tRP |
|
DDR4-2666 |
0.75 |
19 |
14.25 |
14.25 |
32 |
46.25 |
19-19-19 |
אַדרעס טיש
|
Configuration |
Number of |
Bank Group |
Bank |
Row Address |
Column |
Page size |
|
8GB(1Rx8) |
4 |
BG0-BG1 |
BA0-BA1 |
A0-A15 |
A0-A9 |
1 KB |
פאַנגקשאַנאַל בלאָק דיאַגראַמע
8 גב, 1 גקס 64 מאָדולע (1 נאַנק פון קס 8)
אַבסאָלוט מאַקסימום רייטינגז
אַבסאָלוט מאַקסימום דק רייטינגז
|
Symbol |
Parameter |
Rating |
Units |
NOTE |
|
VDD |
Voltage on VDD pin relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3 |
|
VDDQ |
Voltage on VDDQ pin relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3 |
|
VPP |
Voltage on VPP pin relative to VSS |
-0.3 ~ 3.0 |
V |
4 |
|
VIN, VOUT |
Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3,5 |
|
TSTG |
Storage Temperature |
-55 to +100 |
°C |
1,2 |
דראַמע קאָמפּאָנענט אַפּערייטינג טעמפּעראַטור קייט
|
Symbol |
Parameter |
Rating |
Units |
Notes |
|
TOPER |
Normal Operating Temperature Range |
0 to 85 |
°C |
1,2 |
|
Extended Temperature Range |
85 to 95 |
°C |
1,3 |
אַק & דק אָפּערייטינג באדינגונגען
רעקאַמענדיד דק אָפּערייטינג באדינגונגען
|
Symbol |
Parameter |
Rating |
Unit |
NOTE |
||
|
Min. |
Typ. |
Max. |
||||
|
VDD |
Supply Voltage |
1.14 |
1.2 |
1.26 |
V |
1,2,3 |
|
VDDQ |
Supply Voltage for Output |
1.14 |
1.2 |
1.26 |
V |
|
|
VPP |
Supply Voltage for DRAM Activating |
2.375 |
2.5 |
2.75 |
V |
3 |
מאָדולע דימענשאַנז
פראָנט מיינונג
צוריק מיינונג
פּראָדוקט קאַטעגאָריעס : ינדאַסטריאַל קלוג מאָדולע אַקסעסעריז
פּריוואַטקייט סטאַטעמענט: דיין פּריוואַטקייט איז זייער וויכטיק פֿאַר אונדז. אונדזער פירמע הבטחות ניט צו ויסזאָגן דיין פערזענלעכע אינפֿאָרמאַציע צו קיין יקספּאַנינג מיט דיין בּליטה פּערמישאַנז.
פּלאָמבירן מער אינפֿאָרמאַציע אַזוי אַז איר קענען קאָנטאַקט איר פאַסטער
פּריוואַטקייט סטאַטעמענט: דיין פּריוואַטקייט איז זייער וויכטיק פֿאַר אונדז. אונדזער פירמע הבטחות ניט צו ויסזאָגן דיין פערזענלעכע אינפֿאָרמאַציע צו קיין יקספּאַנינג מיט דיין בּליטה פּערמישאַנז.
Contact Now